长江日报大武汉客户端4月25日讯  4月24日上午，以“新赛道、新技术、新产品、新市场”为主题的2026九峰山论坛在光谷开幕，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2025）》（以下简称《报告》）发布。《报告》指出，包括硅（Si）、碳化硅（SiC）、氧化镓（Ga2O3）、氮化镓（GaN）以及基板、绝缘材料等在内的功率电子材料形成了产能优势，进入国际第一梯队。

4月24日，2026九峰山论坛在中国光谷科技会展中心开幕。　记者史伟 摄

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲作为主发布人，介绍了《报告》编制情况及产业趋势现状——总体来看，2025年，全球半导体产业势头强劲，叠加新能源汽车、光伏储能等下游领域需求放量，我国第三代半导体产业持续高速增长。第三代半导体功率电子领域市场规模约227亿元，同比增长28.6%，其中新能源汽车及交通市场突破148亿元，消费电子市场接近32亿元，电信及基础设施成为增速最快领域。

产业格局上，我国企业全球市占率显著提升，天岳先进、天科合达等跻身SiC衬底全球前三，瀚天天成、天域半导体等进入SiC外延全球前二，SiC材料整体供给占全球一半，英诺赛科GaN功率器件全球市占率继续保持第一。

技术方面，SiC 8英寸衬底实现规模化供货，12英寸外延全球首发，GaN相关技术取得突破；超宽禁带半导体多项技术实现国际首发。

吴玲表示，AI浪潮正重塑全球半导体格局，化合物半导体已成为半导体领域高端产业链话语权争夺的焦点。我国在光电子、射频电子和功率电子领域建立了较为完整的研发和产业体系，半导体照明产业规模已居世界第一，射频电子较好地满足了国防和5G移动通信需求，功率电子材料形成了产能优势，进入国际第一梯队，但目前仍有性价比和品牌影响力方面的挑战，正处于从“技术突破”向“产业领先”加速迈进的关键阶段。未来5—10年有望实现全球引领，形成半导体领域的优势长板，抢占国际科技与产业竞争的战略主动权。

开幕式上，有24个项目签约落户光谷，全部围绕化合物半导体产业布局。其中7个产业重点项目涵盖设计、材料、核心零部件等领域；8个产业培育项目聚焦化合物半导体前沿技术突破；9个九峰山实验室合作项目将充分发挥实验室中试枢纽功能，推动设备、材料等关键要素的一体化研发验证。目前，以九峰山实验室为核心，面积14平方公里的化合物半导体产业创新街区正全速推进，力争3年内引进培育上下游企业100家。

据悉，本届论坛不仅有多名院士专家领衔八大高峰论坛，还有200余场专业报告面向公众精彩开讲，300余家头部企业同台展示，吸引超千家企业代表参会、逾3万名观众到场观展参会。九峰山论坛已成为中国化合物半导体领域规格最高、规模最大的行业盛会。

（长江日报记者杨佳峰 见习记者张奕宁 通讯员张希为）

【编辑：丁翾】